大师高级课程系列之

静电放电（ESD）和电过载（EOS）:
设计、仿真测试与系统解决方案

2026年11月12日-13日  |  上海  

为什么参加 

当前国内集成电路产业已迈入性能与可靠性并重的发展阶段，可靠性短板成为国产芯片参与市场竞争的突出瓶颈。随着技术由微电子迈向纳米电子学，静电放电（ESD）与电过应力（EOS）问题持续困扰半导体制造、器件、封装乃至整机系统。叠加车规、工控、航空航天应用普及与先进 CMOS、BCD 工艺迭代，低压高速高频接口、高压车载电源接口面临愈发严峻的静电、电过应力与浪涌冲击挑战。

本课程由刘俊杰、梁海莲、杨兆年三位资深专家联合授课，系统讲解集成电路 ESD 静电保护、EOS 电过应力及电浪涌防护技术，覆盖高低压接口防护设计、片上板级二级协同防护体系、防护器件结构优化，以及 ESD 电路工程化设计、仿真与测试。面向车规、工控、航天等高可靠应用场景，剖析先进工艺下各类工程难点，输出可落地的设计方案，帮助技术人员解决静电击穿、闩锁、浪涌损伤、仿真实测偏差等实际问题，切实提升芯片产品可靠性。

谁应该参加

本课程面向以下技术研发人员：

• 模拟 IP、电路设计团队负责人及设计工程师；
• ESD 专业工程师、工程 / 质量工程师、系统工程师；
• 具备一定 ESD 工作经验的设计人员，用于更新 ESD 专业知识，适配当下芯片设计流程、优化工程实践；

同时也适合芯片可靠性、器件工艺工程师，研发管理人员，以及集成电路相关专业师生。

主办单位 

上海林恩信息咨询有限公司
上海集成电路技术与产业促进中心

课程安排 

课程时间：2026年11月12日—13日 （2天）
报到注册时间：2026年11月12日， 上午8:30-9:00 
课程地点：上海集成电路技术与产业促进中心（上海市浦东新区张东路1388号21幢）

课程费用

课程注册费用4600元/人（含授课费、场地租赁费、资料费、课程期间午餐），学员交通、食宿等费用自理（报名回执表中将提供相关协议酒店信息供选择）。
优惠折扣：在校学生注册费用3800元/人；

4人以上团体报名优惠可协商；

以上课程注册费用含授课费、场地租赁费、资料费、课程期间午餐。学员交通、食宿等费用自理。

报名方式

请各单位收到通知后，积极选派人员参加。报名截止日期为2026年11月09日,请在此日期前将报名回执表发送Email至：

邮件：steven.yu@lynneconsulting.com

报名咨询电话：021-58978665；

或者添加微信：136 7161 3108（手机），暗号：ESD课程。

扫描以下二维码获取报名注册表：

付款：

请于11月09日前将全款汇至以下账户。并备注（ESD课程+单位/学校+姓名）

银行信息：

户  名：上海林恩信息咨询有限公司

开户行：上海银行曹杨支行

帐  号：31658603000624127

支付宝信息：

公司名称：上海林恩信息咨询有限公司

支付宝账号：steven.yu@lynneconsulting.com

课程具体安排 

第一天： 11月12日（星期四）

第一单元：集成电路可靠性背景，和低压高速/高频接口与高压电源接口静电保护设计基础（刘俊杰教授授课） 

本单元将讲授集成电路的发展有三个过程。第一过程，做出来了可以用就行。第二过程，能够用而且要求好的性能，第三个过程，性能好而且可靠性要高。中国已经进入第三个过程。在与国外集成电路产品的市场竞争中，可靠性问题仍然是国产集成电路产品的短板。低压集成电路的高速/高频接口静电保护设计相对困难，因为有小面积，高鲁棒性，小设计窗口，低漏电流，和低寄生电容的要求。在高压方面，未来越来越多的先进集成电路都在传统与电动汽车上面使用。车载电子的电源电压相对的高，因此造成了一些静电保护设计上的不同的挑战和困难。低电容不再是需要的条件，可是因为恶劣的使用环境和高电压/大电流，静电保护的高鲁棒性，小面积，符合设计窗口，和不能栓锁的设计要求变得非常重要。

本单元首先介绍集成电路静电保护的背景，设计要求，和测试方法。之后围绕低压集成电路低压高速/高频接口和高压电源接口静电保护设计的基础与方案做一个解说。

第二单元：集成电路电过应力与电浪涌防护设计（梁海莲教授授课）

本单元将讲述电过应力EOS是指集成电路在工作过程中承受的电压、电流或功率超过了其额定承受范围。这可能导致器件性能下降、参数漂移，甚至直接造成器件的永久性损坏，使电路无法正常工作。电浪涌是一种瞬间出现的、具有较高幅值和能量的电压或电流脉冲。电浪涌可能由雷击、电源开关动作、静电放电以及其他电磁干扰等原因引起。它会在短时间内产生极高的电压和电流，对集成电路造成严重的破坏，如击穿芯片内部的绝缘层、烧毁芯片的金属互连线路等。集成电路电过应力与电浪涌防护设计是确保集成电路在各种电气环境下稳定、可靠运行的重要设计环节。

本单元围绕片上集成电路静电保护（ESD）与系统接口端口 EOS 防护展开，面向车规、工控、航空航天等高可靠应用场景，讲解片上 + 板级集成式二级防护设计体系，解决静电瞬态击穿与持续过电应力损伤难题。主要从三大核心维度系统梳理设计规范：一是器件工艺设计，结合先进 CMOS、BCD工艺特性，分析工艺缺陷引发的 ESD/EOS 敏感机理，给出适配高低压、宽温域的工艺选型与优化策略；二是防护器件结构设计，详解 SCR、MOS、LDMOS、二极管等主流防护器件的结构改良、泄放路径优化、耐压与鲁棒性提升方法；三是电子系统设计，针对电源、信号、高速接口，建立前端 EOS 限流钳位、后端片上 ESD 兜底的二级防护拓扑。课程旨在打通芯片设计与系统应用壁垒，形成可落地的 ESD/EOS 协同防护设计指南，提升集成电路整机抗干扰与长期可靠性。

第二天： 11月13日（星期五）

第三单元：集成电路静电保护器件与电路的设计、仿真与测试（杨兆年教授教授）

本单元将讲述（ESD）的概念和重要性已为大家所熟知。然而，工艺技术的变化、工作频率持续上升、系统规模更加复杂，这些趋势都要求ESD保护电路更灵敏、更透明，且能够针对复杂的应用场景设计特别的保护方案。为了提高产品的竞争力，还是要求我们尽可能提升产品ESD防护能力、降低ESD成本。

本单元围绕集成电路ESD保护技术，介绍典型ESD防护体系、常用防护器件、主流测试标准以及实用仿真技术；介绍高鲁棒性、低寄生和低功耗的ESD设计方法以及最新研究进展；讨论针对先进工艺、超快放电、系统级协同保护等条件下的ESD设计工程难点问题。

教授简介：

刘俊杰 特聘教授/博导｜国际集成电路可靠性与ESD防护领域权威专家

刘俊杰(Juin Jei Liou)，IEEE Fellow, 组织部高层次人才专家，教育部长江学者，教育部海外名师，英国电子工程学会(IET)会士，新加坡人工智能学会(AAIA)会士，山东科技大学电子信息工程学院特聘教授/博导。

刘俊杰教授是国际集成电路可靠性权威之一，也是国内静电保护领域的开拓者，过去30年致力于提升集成电路可靠性的科研和教学，建立了中国第一批静电保护实验室，培养了许多相关的专业人才。可控硅是一个非常有效的集成电路静电保护器件，可是它传统上存在了几个无法越过的技术瓶颈。刘教授的研究成果突破了这些困难，创造了国际上使用可控硅设计出来的静电保护的记录，研制出了世界上第一个基于标准硅CMOS和BCD工艺平台的高鲁棒性，高兼容性，低漏电流，低电容，低电阻，和小面积的可靠性方案。

刘教授因为在集成电路领域科研与教学的重要贡献，在全球最有影响力的电气电子工程学会(IEEE)得到了多个荣誉，包括了IEEE会士(Fellow)，IEEE杰出讲座(Distinguished Lecturer)，IEEE全球第三区杰出工程教育家奖(Outstanding Engineering Educator Award)，以及IEEE电子器件学会的杰出教育奖(Education Award)。这两个奖项当年全球只有刘俊杰教授一个人获得。刘俊杰教授已经撰写了13本专著，发布了超过650篇学术论文，拥有专利20多项，也担任了许多的特别期刊主编和超过50个国际大会主席。

梁海莲 教授｜高压芯片 ESD/EOS 防护与器件可靠性权威专家

梁海莲，现任无锡学院集成电路科学与工程学院教授，兼任无锡市集成电路学会副秘书长。拥有21年江南大学任职经历，深耕静电放电（ESD）与电过应力（EOS）防护、集成电路可靠性领域研究近20年，长期专注片上静电、系统浪涌防护设计与电性能测试技术，是国内集成电路防护领域资深技术专家。

科研产业成果积淀深厚，先后主持多项国家、省级自然科学基金及企业重点研发项目，累计主持项目经费超500万元；获中国发明专利 70 余项，发表国际高水平 SCI/EI 期刊论文20余篇。科研成果多次斩获殊荣，荣获江苏省科技进步奖、中国商业联合会、轻工业联合会科技进步一、二等奖多项；深耕科创育人，指导学生斩获 “挑战杯”“互联网 +”、全国集成电路创新创业大赛等国家级、省级竞赛一、二、三等奖近 10 项。

在核心技术研发上，梁海莲教授率先在国内研发并验证高集成度静电与浪涌一体化防护技术，可同时满足芯片片上 ESD 防护与系统端口浪涌防护双重需求。针对高压、中压、低压全场景应用痛点，成功研发多款具备强闩锁免疫特性的专用 ESD、浪涌防护芯片，有效填补国内细分领域技术空白，具备扎实的理论功底与丰富的量产工程落地经验。

杨兆年 副教授｜集成电路 ESD/EOS 前沿技术与工程实战专家

杨兆年，西安电子科技大学博士、美国中佛罗里达大学访问学者，现任西安理工大学集成电路学院副教授、电子工程系系副主任。长期专注集成电路 ESD 静电防护、芯片可靠性与电源管理芯片技术研究，主持产学研项目十余项，深耕产业一线需求，研发多款高实用性、可量产的先进静电保护方案。深耕先进工艺下高鲁棒性、低寄生、抗闩锁的 ESD 防护设计，具备丰富的芯片失效分析、仿真优化与工程落地经验，长期服务国内头部半导体企业，擅长将前沿学术研究与量产实战相结合，助力解决各类芯片静电可靠性难题，主持国家自然科学基金青年项目1项、省部级和企业项目多项。与合肥长鑫存储、中航集团计算所等行业头部企业密切合作。在IEEE Electron Device Letters，IEEE Transactions on Device and Materials Reliability等期刊和国际会议发表第一/通信作者论文30余篇，其中1篇入选ESI高被引论文、IEEE国际会议邀请报告3次。担任IEEE EDL、TED等多家期刊审稿人。获陕西省科学技术二等奖1项。

附件下载：

附件1：高级ESD课程通知

附件2：高级ESD课程报名注册表