RFIT研讨会系列之---高级射频集成电路设计培训课程通知
RFIT研讨会系列之---高级射频集成电路设计培训课程
Advanced RFIC Design
2014年8月27-30日，2014 IEEE 国际射频集成技术研讨会--2014 IEEE International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology (RFIT2014)即将在合肥举行，借此研讨会，我们将举办高级射频集成电路培训课程，届时RFIC设计领域的3位权威教授：Prof. Thomas H. Lee、Prof. C. Patrick Yue、Prof. Asad A. Abidi将分别在上海、合肥为我们带来精彩的RFIC设计培训课程。
一、课程对象：本课程属于射频集成电路设计高级课程，适合具有一定基础的学员：射频电路、无线通讯等设计人员、模拟/数模混合电路设计人员、器件建模等相关领域的研究人员和管理人员、集成电路专业研究生以及对射频集成电路感兴趣的人。
二、举办时间及地点：
2014年8月26日-27日(上海)-上海浦东新区张江高科技园区张衡路429号（上海交通大学信息安全工程学院）；
2014年8月30日（合肥）-安徽省合肥市中国科技大学（东区）（具体地址开课前通知）；
三、其他事项：
（一）报名：
1、报名时间：2014年7月15日至8月23日止；
2、报名方式：填写报名表格（附后），于08月23日前将填好的报名表发送至联系人邮箱（附后）
（二）费用：（含授课费、课程教案、茶歇及午餐费、教授签名证书、与教授合影）
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2、培训食宿：学员午餐由会务组统一安排，往返交通及住宿费用自理，需要住宿的学员可提前预定。
上海：国际人才城酒店（协议价458 元/天起）
张江置业宾馆（协议价200 元/天起）
合肥：高速开元国际大酒店（协议价400 元/天起）
附近快捷酒店（130元/天起）
3、相关费用请汇入会务组账号(或根据报名回执现场交付)。
收款单位：上海林恩信息咨询有限公司
开 户 行：上海银行曹杨支行
账 号：316586 03000624127
（汇入账户的学员，请将汇款底单传真至021-3327 5892或者扫描邮件至会务 组邮 箱：steven.yu@lynneconsulting.com
（三）联系方式：
(四) 课程内容：
本课程属于高级射频集成电路设计培训课程，适合具有一定基础的学员：偏重设计中的实际问题，RFIC权威教授：Prof. Thomas H. Lee和Prof. C. Patrick Yue在上海、Prof. Asad A. Abidi在合肥为我们带来以下课程内容：
CMOS RF IC Design
（Prof. Thomas H. Lee, August 26, 2014,Shanghai）
1、Impedance transformation
▲When to do it; When not to do it; how to do it
▲Bode-Fano limits on matching bandwidth
▲Unintended transformation by active circuits: "Strange impedance behaviors (SIBs); simple models and examples
▲Conscious exploitation of SIBs
2、Noise in linear, time-invariant (LTI) systems
▲LNA design: Noise match vs. power match
▲How to use SIBs to achieve good noise and power match simultaneously
▲Noise "cancellation"
3、Noise in linear, time-varying (LTV) systems
▲Phase noise in oscillators: Theory and practice
▲Noise in mixers
4、Nonlinearity
▲Figures of merit: 1-dB compression point; intermodulation intercepts (IP2, IP3); adjacent-channel power ratio (ACPR); spurious-free dynamic range (SFDR)
▲Nonlinearity reduction techniques: Feedback; strong and weak feedforward
5、Techniques for circuit design at extremes of frequency
▲Amplifier bandwidth extension techniques: Shunt peaking; bridged T-coil; distributed architectures; Ft-doubler
▲Oscillator and synthesizer frequency extension techniques: Multiphase push-push-push; frequency multiplication with nonlinear elements; injection locking (if time permits)
▲Power combining structures and strategies: Corporate combiners; free-space combining
▲Interconnect: Microstrip, stripline, coplanar waveguide
Practical RFIC Implementation Techniques in Scaled CMOS Technologies
（Prof. C. Patrick Yue, August 27, 2014,Shanghai）
1、CMOS for RFIC Products
▲Trends in wireless communication and RFIC integration
▲RF technology options: to use or not to use?
▲Scalability of RF CMOS beyond 130nm: device characteristics and passive component quality at RF
2、RF Device and Passive Component Modeling
▲MOSFET macro modeling and layout optimization
▲Physical modeling and layout optimization for inductors
▲Transformer design trade-offs and circuit applications
▲Varactor modeling and optimization – diode vs. MOS
▲Test structure design and characterization techniques
3、 Technology Key Circuit Blocks
▲T/R switch – improve P-1dB and isolation with tuned circuits
▲LNA – topology, sizing and biasing for noise and power
▲Mixer – topology, linearity and noise considerations
▲VCO – phase noise, power and tuning range optimization
4、 Modeling, Substrate Noise and ESD Techniques
▲Methodology for predictable design using RF sub-circuits
▲Supply and substrate noise coupling
▲RF ESD protection strategy from a system perspective
Systematic Design of Oscillator Circuits
（Prof. Asad A. Abidi, August 30, 2014,Hefei）
In this one day tutorial/short course, Prof. Asad A. Abidi will present his unique highly valued training methods and contents of oscillator design based on fundamental analysis and calculation, not the common PDK-based and EDA-based “error-and-try” optimization. It will most benefit circuit designers in industry involved with oscillators and frequency synthesizers.
▲Noise processes in CMOS oscillators;
▲Time-domain jitter calculation;
▲Effects of white noise and flicker noise etc.;
▲What dominates the jitter and phase noise?
▲Where are they arise from?
▲Theocratic analysis and design of circuits with validation;
▲Straightforward expressions for period jitter and phase noise enable manual design;
▲Design guidance from ring and LC oscillator.
（五）教授简介：
Thomas H. Lee 教授简介：
Thomas H. Lee教授 分别于1983, 1985和1990年取得了麻省理工学院电子工程专业学士学位、硕士学位及博士学位。1990年，他加入了Analog Devices，在那里他首次参与到高速时钟恢复装置的设计。1992年他加入了位于加利福尼亚州的Rambus，在Rambus他发明了500兆字节的CMOS动态存储器高速模拟电路。
他也对StrongARM, Alpha and AMD K6/K7/K8 的处理机的锁相环合成器的发展做出了杰出的贡献。1994年以来，他一直担任斯坦福大学电子工程系的教授。他的研究一直集中在千兆赫速度的有线和无线集成电路，其建立在传统的硅技术尤其是CMOS基础上。
Thomas H. Lee教授曾两度在国际固态电路会议上获最佳论文奖，作为国际固态电路会议中最佳学术论文的合著者，在CICC上被授予最佳论文奖。同时也是帕卡德基金会奖学金获得者。
Thomas H. Lee教授是一个杰出的IEEE固态电路和微波学会讲师。他拥有35项美国专利，撰写了CMOS射频集成电路设计（第二版）及平面微波工程，这两本书都在剑桥大学出版社出版。他也是其余4本有关射频电路设计的合著者，并创立了矩阵半导体。2011四月初，他被授予了Ho-Am工程奖（俗称“韩国的诺贝尔”）。
C. Patrick Yue 教授简介：
Patrick Yue教授现任Associate Provost for Knowledge Transfer (AP-KT)，香港科技大学电子计算机工程的教授。同时也是该校工程学院的工业参与与实习中心的创始董事。他目前感兴趣的研究领域包括：高速光通信收发系统芯片（SOC），应用于生物系统植入的无线电力传输和电源管理IC，以及用于照明、展示的LED 系统芯片微系统。
基于他博士期间在斯坦福的研究，1998年，他创办了Atheros通信。他将专业知识应用在CMOS射频晶体管和无源元件建模上，使得世界上802.11a 5-GHz CMOS射射频收发器问世。在2002年，为了开发10-Gbps CMOS serdes IC 产品的光电建模，他加入了名为Aeluros的新兴公司，此模型是基于XAUI接口设计。Patrick Yue教授在2011年进入香港科技大学执教之前，曾在斯坦福大学担任咨询教师一职，也曾在卡内基梅隆大学和加利福尼亚大学巴巴拉分校任教。他仍然对科技创业饱含激情，同时也是一些总部设在美国和中国大陆的IC初创公司的活跃顾问。
Patrick Yue教授曾投稿100多篇同行评审的技术论文和两本著作的章节。他也荣获了13项美国专利，其中大部分都涉及IC产品。他一直是IEEE杂志固态电路的论文被引用次数最多的作者之一（谷歌引文索引超过1000次）。他也是2003年度国际固态电路会议最佳学者论文奖的共同获得者之一。
同时也他也一直在为许多国际会议的执行，组织和技术方面服务，包括IEEE国际无线电研讨会，IEEE 超大规模集成电路研讨会，IEEEVLSI 电路研讨会，亚洲固态电路会议，VLSI设计、自动化与测试国际研讨会，IEEE 射频集成技术国际研讨会。自2011年以来， 他一直担任IEEE电子器件快报的主编。
Asad A. Abidi 教授简介：
Asad A. Abidi教授于1976年以优异的成绩取得帝国理工学院（英国学士学位，随后分别于1978、1981年取得加州大学伯克利分校电子工程专业硕士、博士学位。
从1981年至1984年，任贝尔实验室高级LSI开发实验室的主任研究员。1985年，加盟加州大学洛杉矶分校，目前电子工程系教授。他的研究兴趣集中在CMOS射频设计，数据高速模拟集成电路的设计、转换以及模拟信号处理的其他技术。
从1992年至1995年，Abidi教授担任IEEE固态电路杂志主编。1997年当选IEEE院士。2007年当选美国工程院院士。同年，获IEEE Donald O . Pederson奖，IEEE Donald O. Pederson奖是IEEE固态电路的一个技术领域奖，该奖每年由IEEE固态电路委员会颁发给那些“对固态电路领域有突出贡献”的人。2009年当选第三世界科学院院士。
详细信息请参考附件：
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